Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra İnce

Menşe yeri Çin
Marka adı zcq
Sertifika SGS,ISO
Model numarası ZCQ
Min sipariş miktarı 1
Fiyat USD 50-150 PCS
Ambalaj bilgileri Tahta kutu
Teslim süresi 5-8 hafta
Ödeme koşulları L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Yetenek temini günde 100000 adet

Ücretsiz numune ve kuponlar için bana ulaşın.

Naber:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Herhangi bir endişeniz varsa, 24 saat çevrimiçi yardım sağlıyoruz.

x
Ürün ayrıntıları
Malzeme erimiş kuvars boyut OEM
Hata payı ±0.1 ADEDI 1 parça
Şekil özelleştirilmiş İsim Yarı İletken Gofret Taşıyıcı
Vurgulamak

erimiş kuvars yarı iletken gofret taşıyıcı

,

ultra ince yarı iletken gofret taşıyıcı

,

yarı iletken ultra ince silikon gofret taşıyıcı

Mesaj bırakın
Ürün Açıklaması

Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra İnce

Kuvars ürünlerinin araştırılması, üretimi ve satışı konusunda uzmanız.
Ana ürünler: kuvars pota, şeffaf kuvars cam tüp, kuvars cam difüzyon tüpü, ağız kuvars cam tüp, kuvars cam slayt, kuvars tekne, kuvars eşya, kuvars höyük, kuvars çubuk, hafif yapı malzemesi, tıbbi cihaz, bilimsel aletler, vb.
Kendimize her zaman "Müşteri Merkez, Kalite anahtardır" diye hatırlatıyoruz.Müşterilerimizi memnun etmek için %100 çaba göstereceğiz!

 

Ürün özellikleri:

Açık ve temiz,

Yüksek homojenlik

Yüksek sıcaklığa dayanıklı

Yüksek ışık iletimi

Anti kimya saldırısı

 

Çalışma sıcaklığı:

Normal çalışma sıcaklığı: 1000°C

Kısa süreli çalışma sıcaklığı:1100°C

anlık çalışma maksimum sıcaklık:1300°C

 

Mekanik Mülkiyet:

Mekanik Mülkiyet Referans değeri Mekanik Mülkiyet Referans değeri
Yoğunluk 2.203g/cm3 Kırılma indisi 1.45845
Basınç Dayanımı >1100Mpa Termal Genleşme katsayısı 5.5×10-7cm/cm.°C
Eğilme direnci 67Mpa Sıcak çalışma sıcaklığı 1750~2050°C
Gerilme direnci 48.3Mpa Kısa bir süre için sıcaklık 1300°C
Poisson Oranı 0.14~0.17 Sıcaklık uzun süre 1100°C
Elastik modülü 71700Mpa özdirenç 7×107Ω.cm
Kesme Modülü 31000Mpa Dielektrik gücü 250~400Kv/cm
Güve Sertliği 5.3~6.5(güveler Ölçeği) Dielektrik sabiti 3.7~3.9
Deformasyon Noktası 1280°C Dielektrik absorpsiyon katsayısı <4×104
Özgül Isı(20~350°C) 670J/kg°C Dielektrik kayıp katsayısı <1×104
Termal İletkenlik(20°C) 1.4W/m°C  


Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra İnce 0